湖南大学研制成功1nm物理沟道长度垂直晶体管，芯片性能或将进入新纪元
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引用的 Youtube 影片指的是湖南大學劉渊教授發表在中國 Nature Electronics 的一篇研究報告，也特別指出這只是實驗室的初步研究成果，距離實際應用還有很大的不確定性。本文標題講的《中国要造1nm物理芯片..台积电三星大叫不好，2nm还没成就要落后》誇大不實，應為假。
References
[1] 湖南大学研制成功1nm物理沟道长度垂直晶体管https://www.163.com/dy/article/G8N1JUE705119734.html
https://www.163.com/dy/article/G8N1JUE705119734.html
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